聚合氯化铝PAC处理电子半导体效果怎么样

    近年来我国半导体产业发展迅猛，半导体芯片行业使用大量研磨液进行芯片打磨抛光，产生各种研磨液废水，但随着民众环保意识和环保要求的提高，环境污染也日益受到人们的关注。现有的研磨废水一般需要进行处理，达到标准后才能排放，现有的处理工艺一般采用=絮凝沉淀、电絮凝、高pH膜过滤等的处理工艺。添加聚合氯化铝PAC絮凝剂为常用的絮凝方式，但是由于研磨液呈现强稳定性需要投加大量的聚合氯化铝絮凝剂才能起到絮凝作用，这无疑增加了企业的投入成本，而且，投加的聚合氯化铝絮凝剂量大，产生的污泥量也随着增加，使得后续污泥处理的难度也随之增大。

    聚合氯化铝PAC的应用：

    聚合氯化铝缓慢加入溶解在轮回水体积中的聚氯化铝的搅拌釜中，并连续搅拌该混合物，形成5的聚合氯化铝PAC溶液，打开液体排出阀以氯化制备的聚合物。铝溶液进入溶液罐以用于处理系统，并且一组两组溶液罐用于一组。

    该工艺采用管式微涡管混合器作为混合装置，在输送泵前加入聚合氯化铝溶液，在输送泵后加入PAM溶液，湍流微涡和离心惯性效应用于实现废水中的水解产物。废水中形成的胶体颗粒的完全扩散实现了更好的不不乱性。根据污水的絮凝沉淀系统的出水水质调整剂量。通常，控制每立方米添加5-10L聚氯化铝溶液。

    聚合氯化铝PAC预处理方法：

    预处理原水首先加入次氯酸钠和聚合氯化铝PAC，降低浑浊度，去除悬浮物和胶体等杂质，经锰砂过滤器进一步去除悬浮物和固体颗粒；UF超滤过滤精度在0.005～0.01μm范围内，可有效去除水中的微粒、胶体、细菌垫层及高分子有机物质；一级RO处理后产水电导率＜10～20μs/cm，二级RO处理后可制备产水电导率＜5μs/cm的RO水；RO处理后通过EDI设备混合床离子交换可制备纯水；通过UV185nm将水中透过反渗透膜的少量有机物分解成CO2和H2O可去除TOC，再经混合床离子交换、膜渗透制备超纯水，超纯水使用后通过UPW循环系统回用到原水箱。